GaN/氮化鎵 - MTC-PD65W1C-FXA1
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返馳式谷底偵測減少開關損失
輕載Burst Mode增加效率
較佳效能可達93%
空載損耗低于50mW
控制IC可支持頻率高達160 kHz
系統(tǒng)頻率有Jitter降低EMI干擾
控制IC可直接驅(qū)動GaN
產(chǎn)品介紹
本電源模塊是65W單一C界面，其輸出電壓由協(xié)議IC可以控制5V/3A, 9V/3A, 15V/3A, 20V/3.25A等電壓輸出，使用QR/DCM反馳式電路架構于輸出20V重載時可達93%效率及功率密度可達1.5W/cm3，本系統(tǒng)采用同系列控制單晶片：QR一 次 側 控 制 IC 驅(qū) 動 MTC D-mode GaN FET(MGZ31N65-650V)、二次側同步整流控制IC及PD3.0協(xié)議IC)可達到較佳匹配。
本報告內(nèi)容包括65W1C電氣規(guī)格、線路圖、BOM、主變壓器設計參數(shù)、線路布局，較后是效能量測及EMI測試結果。
一、GaN/氮化鎵 - MTC-PD65W1C-FXA1的特性：
返馳式谷底偵測減少開關損失
輕載Burst Mode增加效率
較佳效能可達93%
空載損耗低于50mW
控制IC可支持頻率高達160 kHz
系統(tǒng)頻率有Jitter降低EMI干擾
控制IC可直接驅(qū)動GaN
進階保護功能如下：
(1) VDD過電壓及欠電壓保護
(2) 導通時較大峰值電流保護
(3) 輸出過電壓保護
(4) 輸出短路保護
可輸出65W功率
二、GaN/氮化鎵 - MTC-PD65W1C-FXA1的應用：
電源適配器
LED照明驅(qū)動器LCD顯示器電源
帶充電界面排插
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